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Vorteile einer Registrierung:
1 TB Kapazität für reichlich Speicherplatz
Interne Datenrate von bis zu 7150 MBps für schnelle Leistung
Langlebiges Design mit einer Temperaturtoleranz von -40°C bis 85°C
Integrierte Hardware-Verschlüsselung für Datensicherheit
1 TB Kapazität für reichlich Speicherplatz
Interne Datenrate von bis zu 7150 MBps für schnelle Leistung
Langlebiges Design mit einer Temperaturtoleranz von -40°C bis 85°C
TRIM-Unterstützung und Auto Garbage Collection für verbesserte Langlebigkeit
Integrierte Hardware-Verschlüsselung für Datensicherheit
Samsung 990 EVO Plus MZSolid State Disk
Kurzanleitung
Produktbeschreibung : Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Typ : Solid State Drive - intern
Kapazität : 1 TB
Hardwareverschlüsselung : Ja
Verschlüsselungsalgorithmus : 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp : TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor : M.2 2280
Schnittstelle : PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale : Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) : 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Hochgeschwindigkeitsleistung
Mit einer internen Datenrate von 7150 MB/s und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 6300 MB/s bietet die Samsung 990 EVO Plus schnelle Lese- und Schreibfunktionen, die für Power-User und Gamer unerlässlich sind.
Robuste Haltbarkeit
Diese SSD wurde für den Betrieb in rauen Umgebungen entwickelt und kann Temperaturen von -40°C bis 85°C standhalten, um Zuverlässigkeit unter verschiedenen Bedingungen zu gewährleisten.
Erweiterte Sicherheit
Das Laufwerk verfügt über eine 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung, die Daten durch TCG Opal Encryption 2.0 schützt, sodass Nutzer ihre sensiblen Daten unbesorgt aufbewahren können.
Effizienter Stromverbrauch
Dieses Laufwerk arbeitet mit einem niedrigen Stromverbrauch, einschließlich 5 mW im Lesemodus und 4,2 Watt im Ruhemodus, und trägt so zur allgemeinen Energieeinsparung bei.
Verbesserte Technologiefunktionen
Ausgestattet mit der Intelligent TurboWrite Technology und dem Host Memory Buffer (HMB) bietet dieses SSD schnellere Leistung und verbesserte Effizienz für alle Anwendungen.
Abmessungen/Allgemeine Daten
Hersteller: Samsung
Hersteller-Nr.: MZ-V9S1T0BW
EAN: 8806095575674
PC Komponenten
SSDs
Solid State Disk
Produktmerkmale
Speicherkapazität: 1.024GB
Typ: Solid State Disk
Allgemein
Gerätetyp: Solid State Drive - intern
Kapazität: 1 TB
Hardwareverschlüsselung: Ja
Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp: TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale: Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Breite: 22.15 mm
Tiefe: 80.15 mm
Höhe: 2.38 mm
Gewicht: 9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz: 7150 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write: 1350000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read: 850000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF: 1.500.000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld: M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch: 4.3 Watt (Lesen) 4.2 Watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen: Samsung Magician Software
Verschiedenes
Gehäusematerial: Nickelbeschichtung
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur: 0 °C
Max. Betriebstemperatur: 70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb): 1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb): 20 g @ 20-2000 Hz
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht.
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
65824 Schwalbach, DE
[email protected]