Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW M.2 2280 PCI Express 5.0 x4 NVMe interne SSD 2 TB

Allgemein
Gerätetyp: Solid State Drive - intern
Kapazität: 2 TB
Hardwareverschlüsselung: Ja
Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp: TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Merkmale: TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM Cache, S.M.A.R.T.
Breite: 22 mm
Tiefe: 80 mm
Höhe: 2.38 mm
Gewicht: 9 g

Leistung
Interner Datendurchsatz: 5000 MBps (lesen)/ 4200 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read: 22000 IOPS
4 KB Random Write: 90000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write: 800000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read: 700000 IOPS

Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld: M.2 2280

Stromversorgung
Energieverbrauch: 5.4 Watt (Lesen) ¦ 4.7 Watt (Schreiben)

Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen: Samsung Magician Software

Verschiedenes
Kennzeichnung: IEEE 1667
Verpackungsdetails: Box

Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur: 0 °C
Max. Betriebstemperatur: 70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb): 1500 g @ 0,5 ms

Datenblatt Produktsicherheit und Compliance

Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht.

Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
65824 Schwalbach, DE

[email protected]