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256-Bit-AES
TCG Opal Encryption 2.0
integrierter Kühlkörper
4 TB Kapazität mit 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache für umfangreichen Speicher und schnellen Zugriff
PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Schnittstelle für Hochgeschwindigkeitsdatenübertragung
Integrierter Kühlkörper zur Aufrechterhaltung optimaler Betriebstemperaturen
Unterstützt S.M.A.R.T., TRIM und Device Sleep für verbesserte Effizienz und Haltbarkeit
256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung für sicheren Datenschutz
Samsung 990 PRO MZSolid State Disk
Kurzanleitung
Produktbeschreibung : Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0GW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ : Solid State Drive - intern
Kapazität : 4 TB
Integrierter Kühlkörper : Ja
Hardwareverschlüsselung : Ja
Verschlüsselungsalgorithmus : 256-Bit-AES
Formfaktor : M.2 2280
Schnittstelle : PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale : TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) : 25 mm x 80.15 mm x 8.88 mm
Erhöhte Haltbarkeit
Mit einer MTBF von 1.500.000 Stunden und einer robusten Stoßbeschleunigungstoleranz von 1500 g im Nichtbetrieb bietet dieses Solid State-Laufwerk eine außergewöhnliche Haltbarkeit und Zuverlässigkeit für den Langzeiteinsatz.
Hochgeschwindigkeitsleistung
Mit einer beeindruckenden internen Datenrate von bis zu 7450 MB/s beim Lesen und 6900 MB/s beim Schreiben sowie einer maximalen 4KB-Zufallslesegeschwindigkeit von 1600000 IOPS und einer Schreibgeschwindigkeit von 1550000 IOPS gewährleistet die Samsung 990 PRO schnelle Datenzugriffs- und Übertragungsgeschwindigkeiten.
Erweiterte Sicherheit
Ausgestattet mit 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung und TCG Opal Encryption 2.0 bietet dieses Laufwerk erweiterte Sicherheitsfunktionen zum Schutz Ihrer Daten vor unbefugtem Zugriff.
Effiziente Energieverwaltung
Mit einem niedrigen durchschnittlichen Stromverbrauch von 6,5 W und einem Idle-Modus, der nur 55 mW benötigt, ist die Samsung 990 PRO für einen effizienten Energieverbrauch ohne Leistungseinbußen ausgelegt.
Innovative Technologie
Mit der Samsung V-NAND TLC Technologie, der Garbage Collection Technologie und der Unterstützung des Geräte-Ruhezustands bietet diese SSD verbesserte Effizienz, Zuverlässigkeit und eine hohe Speicherkapazität von 4 TB mit einem 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache für optimale Leistung.
Abmessungen/Allgemeine Daten
Hersteller: Samsung
Hersteller-Nr.: MZ-V9P4T0GW
EAN: 8806095255811
PC Komponenten
SSDs
Solid State Disk
Produktmerkmale
Speicherkapazität: 3.932GB
Typ: Solid State Disk
Bauform (Intern/Extern): Intern
Allgemein
Gerätetyp: Solid State Drive - intern
Kapazität: 4 TB
Hardwareverschlüsselung: Ja
Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES
Integrierter Kühlkörper: Ja
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale: TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Breite: 25 mm
Tiefe: 80.15 mm
Höhe: 8.88 mm
Gewicht: 28 g
Leistung
Interner Datendurchsatz: 7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write: 1550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read: 1600000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF: 1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen: PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld: M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch: 6.5 Watt (Durchschnitt) ¦ 55 mW (Leerlauf)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen: Samsung Magician Software
Verschiedenes
Kennzeichnung: IEEE 1667
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur: 0 °C
Max. Betriebstemperatur: 70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb): 1500 g