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Vorteile einer Registrierung:
2 TB Kapazität für umfangreichen Speicherplatz
Interne Datenübertragungsraten von 7250 MB/s für schnellere Leistung
Intelligente TurboWrite-Technologie für effizientes Datenmanagement
Robuste Wärmetoleranz mit einer maximalen Betriebstemperatur von 70°C
256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung für erhöhte Sicherheit
2 TB Kapazität für umfangreichen Speicherplatz
Interne Datenübertragungsraten von 7250 MB/s für schnellere Leistung
Intelligente TurboWrite-Technologie für effizientes Datenmanagement
Robuste Wärmetoleranz mit einer maximalen Betriebstemperatur von 70°C
256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung für erhöhte Sicherheit
Samsung 990 EVO Plus MZSolid State Disk
Kurzanleitung
Produktbeschreibung : Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 2 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Typ : Solid State Drive - intern
Kapazität : 2 TB
Hardwareverschlüsselung : Ja
Verschlüsselungsalgorithmus : 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp : TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor : M.2 2280
Schnittstelle : PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale : Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) : 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Effiziente Datenübertragung
Mit internen Datenübertragungsraten von bis zu 7250 MB/s können Daten schnell übertragen werden, was kürzere Boot-Zeiten und schnellere Ladegeschwindigkeiten von Anwendungen ermöglicht.
Hohe Widerstandsfähigkeit
Mit einer Stoßfestigkeit von bis zu 1500 g und einer Vibrationstoleranz ist dieses Laufwerk robust genug, um physischen Belastungen standzuhalten und einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Umgebungen zu gewährleisten.
Erweiterte Leistungsverwaltung
Unterstützt TRIM, Auto Garbage Collection und Device Sleep, um die Leistung zu optimieren und die Lebensdauer des Laufwerks zu verlängern, wodurch es sowohl für den täglichen Gebrauch als auch für anspruchsvolle Anwendungen geeignet ist.
Verbesserte Sicherheitsfunktionen
Ausgestattet mit 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung und TCG Opal Encryption 2.0 bietet das Laufwerk robuste Sicherheitsmaßnahmen, um sensible Daten vor unbefugtem Zugriff zu schützen.
Abmessungen/Allgemeine Daten
Hersteller: Samsung
Hersteller-Nr.: MZ-V9S2T0BW
EAN: 8806095575650
PC Komponenten
SSDs
Solid State Disk
Produktmerkmale
Speicherkapazität: 1.843 GB - 2.458 GB
Typ: Solid State Disk
Allgemein
Gerätetyp: Solid State Drive - intern
Kapazität: 2 TB
Hardwareverschlüsselung: Ja
Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp: TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale: Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Breite: 22.15 mm
Tiefe: 80.15 mm
Höhe: 2.38 mm
Gewicht: 9 g
Leistung
Interner Datendurchsatz: 7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write: 1350000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read: 1000000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF: 1.500.000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Kompatibles Schaltfeld: M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch: 4.6 Watt (Lesen) 4.2 Watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen: Samsung Magician Software
Verschiedenes
Gehäusematerial: Nickelbeschichtung
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur: 0 °C
Max. Betriebstemperatur: 70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb): 1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb): 20 g @ 20-2000 Hz
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht.
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
65824 Schwalbach, DE
[email protected]