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Type 2280-S4-M
PCI Express 40
BiCS FLASH TLC
64 GTs
8015 x 2215 x 263 mm
70 g
1 TB Kapazität für umfangreichen Speicherplatz
Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 5000 MB/s und 3900 MB/s
PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Schnittstelle für schnellen Datenzugriff
3D-BiCS-Flash-Technologie steigert die Effizienz
Geringer Stromverbrauch mit 5 mW im Idle-Modus
Kioxia Exceria Plus G3 NVMe SSD 1TB
Kurzanleitung
Produktbeschreibung : KIOXIA Exceria Plus G3 Series LSD10Z001TG8 - SSD - 1 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ : Solid State Drive - intern
Kapazität : 1 TB
NAND-Flash-Speichertyp : 3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor : M.2 2280
Schnittstelle : PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale : 3D BiCS Flash, Host Memory Buffer (HMB), Idle Time Garbage Collection, TRIM-Unterstützung, NVMe 1.4
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) : 22.15 mm x 80.15 mm x 2.63 mm
Gewicht : 7 g
Erhöhte Haltbarkeit
Mit einer MTBF von 1.500.000 Stunden und einer robusten Stoß- und Vibrationstoleranz bietet dieses Solid-State-Laufwerk eine verbesserte Haltbarkeit und Zuverlässigkeit für Ihre Datenanforderungen.
Hochgeschwindigkeitsleistung
Erleben Sie schnelle Datenübertragungsgeschwindigkeiten mit einer internen Datenrate von bis zu 5000 MB/s beim Lesen und 3900 MB/s beim Schreiben, unterstützt durch die PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Schnittstelle. Ideal für anspruchsvolle Anwendungen und intensive Workloads.
Große Speicherkapazität
Mit einer Kapazität von 1 TB bietet dieses Laufwerk reichlich Platz für Ihre Dateien, Anwendungen und Spiele und nutzt dabei die 3D-BiCS-Flash-Technologie für eine effiziente Speicherung.
Erweiterte Funktionen
Ausgestattet mit Funktionen wie Host Memory Buffer (HMB), Idle Time Garbage Collection und TRIM-Unterstützung gewährleistet diese SSD optimale Leistung und Langlebigkeit.
Abmessungen/Allgemeine Daten
Hersteller: Kioxia
Hersteller-Nr.: LSD10Z001TG8
EAN: 4582563857872
PC Komponenten
Solid State Disk
Produktmerkmale
Speicherkapazität: 900 GB - 1.311 GB
Typ: Solid State Disk
Transferrate: 10MB/s
Allgemein
Gerätetyp: Solid State Drive - intern
Kapazität: 1 TB
NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale: 3D BiCS Flash, Host Memory Buffer (HMB), Idle Time Garbage Collection, TRIM-Unterstützung, NVMe 1.4
Breite: 22.15 mm
Tiefe: 80.15 mm
Höhe: 2.63 mm
Gewicht: 7 g
Leistung
SSD-Leistung: 600 TB
Interner Datendurchsatz: 5000 MBps (lesen)/ 3900 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read: 770000 IOPS
4 KB Random Write: 950000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF: 1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen: 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Key M
Kompatibles Schaltfeld: M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch: 4.9 Watt (aktiv) 5 mW (Leerlauf)
Verschiedenes
Kennzeichnung: ROHS Directive 2011/65/EU
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur: 0 °C
Max. Betriebstemperatur: 85 °C
Min. Lagertemperatur: -40 °C
Max. Lagertemperatur: 85 °C
Schocktoleranz (in Betrieb): 1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb): 20 g @ 10-2000 Hz
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht.
Toshiba Europe GmbH
Hammfelddamm 8
41460 Neuss, DE
[email protected]